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    SIM卡的電路運行分析

    編輯:admin人氣:299發表時間:2023-05-12 15:38:43

    SIM卡電路的主要分為幾個部分,VCC :電源,存在1.8V/3V/5V ,按照協議,目前常用的分為CLASS B與CLASS C。其中,CLASS B電壓為2.7-3.3V。 CLASS C電壓為1.62-198V。功耗方面CLASS B最大為6mA。CLASS C最大為4mA。一般情況下, SIM卡檢測電路要求支持1.8V與3.0V。


    RST:復位,主要用于對內部處理器進行復位。低電平: 0-0.2VCC。高電平: 0.8VCC-VCC。CLK :時鐘,時鐘均在1-4MHZ。 低電平: 0-0.2VCC。高電平:0.7VCC-VCC。數據與手機內部進行信息傳輸的通信線。低電平: -0.3-0.2VCC。高電平: 0.7VCC-VCC+0.3。

    VPP , SIM卡的編程供電。在一般情況下為NC ,在設備具備NFC功能的情況下會使用到該引腳。

    DET,檢測管腳,低電平拔出,高電平插入。其中, DET腳并不是SIM卡的引腳信號。其僅存在與連接器卡座上,屬于機械弓|腳,通過機械結構實現插卡與拔卡的狀態切換。


    電源開關時,SIM卡電氣性能為:當敞開電源期間,按以下次第激活各觸點:RST低電平狀況:Vcc加電;I/O口處于接納狀況;VPP加電;供給安穩的時鐘信號。當封閉電源時,按如下次第作業:RST低電平狀況;CLK低電平狀況;VPP去電;I/O口低電平狀況;VCC去電。
    正常開機的移動電話機,在SIM卡座上用示波器能夠丈量到SIM_I/O、SIM_CLK、SIM_RST信號,它們是一個3V左右的脈沖。若檢測不到,闡明SIM卡座供電開關管周邊電阻、電容元件脫焊、SIM卡卡座脫焊,也有可能是卡座導致接觸不良,SIM卡外表氧化或是作廢卡。



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